50나노 간격 구현한 TSMC 2D 트랜지스터
- 대만 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)와 ASML·아이멕(imec)이 300mm 웨이퍼에서 50nm 접촉 폴리 피치(CPP)의 2차원(2D) 소재 트랜지스터를 구현했다.
- 정상 작동한 트랜지스터 비율은 94%로 나타났다.
- 아이멕은 6월 15일 발표문에서 세 기관이 이황화몰리브덴(MoS2) n형 전계효과트랜지스터(nFET)와 이황화텅스텐(WS2)·이셀레늄화텅스텐(WSe2) p형 전계효과트랜지스터(pFET)를 300mm 웨이퍼에 통합했다고 밝혔다.

CPP는 게이트와 소스·드레인 접촉부를 반복 배치하는 간격을 나타내는 공정 지표다. 구리 산카르 카르(Gouri Sankar Kar) 아이멕 컴퓨트·메모리 소자기술 연구개발 부사장은 “처음으로 2D nFET와 pFET의 성능을…
이 뉴스 어떻게 보세요?
댓글 0
0/1200
첫 댓글을 남겨보세요.